原理：离子束修频采用离子束微调技术，通过离子束直接作用小范围定焦，离子束扫描表面，变...
根据不同刻蚀工艺配方可以进行刻蚀整片8英寸AlN/Mo/Al材料工艺，刻蚀均匀性＜±5%，刻...
原理：LAM9600与电感耦合等离子体反应刻蚀相似，具有两个射频源，可以单独控制离子密度和...
用于硅材料的高/低速刻蚀，可进行大深宽比trench刻蚀，刻蚀选择比高，刻蚀角度陡值、侧壁光...
用于8寸SiO2薄膜释放工艺。主要通过无水乙醇的催化作用，将蒸发的乙醇和气态的HF通入腔体...
4、6、8英寸标准wafer兼容,低能量，高刻蚀速率，片内均匀性＜±2%（8英寸）。
用于刻蚀8寸氧化硅、氮化硅介质膜刻蚀，刻蚀速率50-150nm/min，刻蚀非均匀性：≤±5%。...