原理：
LAM9600与电感耦合等离子体反应刻蚀相似，具有两个射频源，可以单独控制离子密度和离子能量，ICP功率控制等离子体密度，RF射频功率控制离子轰击能量，具有低压强、高等离子体密度、低轰击能量等优点，可获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。
技术指标：
气体配置：Cl2、BCl3、He、N2
ICP功率：50-1000W
RF功率: 0-1000W
载物台温度：40-60℃
Al刻蚀速率：100-300nm/min
光刻胶刻蚀选择比：＞3:1
刻蚀非均匀性：＜±5%
刻蚀侧壁角度：＞85°
应用：
主要用于刻蚀Ti、Al、ITO等金属材料。
示例：
