原理：

电感耦合等离子体刻蚀机，将反应气体分解电离产生正负离子、电子、中性粒子等，具有较强的化学反应活性。两个射频源，可以单独控制离子密度和离子能量，ICP功率控制等离子体密度，RF射频功率控制离子轰击能量，具有低压强、高等离子体密度、低轰击能量等优点，可以获得更高的刻蚀速率以及更好的各向异性刻蚀

技术指标：

工艺气体：CF4、SF6、Cl2、BCl3、Ar、O2

ICP功率：0—3000W，RF功率：0—1500W

AlN刻蚀速率：100—400nm/min

Al0.8Sc0.2N刻蚀速率：80—150nm/min

GaN刻蚀速率：50—300nm/min

Mo刻蚀速率：50—300nm/min

采用静电吸盘，Chuck温度：-20—80℃

8inch片内刻蚀非均匀性：＜±5%

应用:

主要用于8inch及以下尺寸AlN / Mo / GaN材料刻蚀，侧壁角度可控，刻蚀底部光滑。

示例：