原理：
离子束修频采用离子束微调技术，通过离子束直接作用小范围定焦，离子束扫描表面，变化停留的时间，来达到厚度方向上的同质性，完成局部区域化的刻蚀工艺。
技术指标：
气体配置：Ar
载物台倾斜角度：0—45˚
离子能量：50—1500 eV
薄膜的厚度均匀性：±1nm
修频非均匀性：＜±0.5%
应用：
主要用于完成局部区域化的刻蚀，设备6、8inch标准wafer兼容根据内部Chuck尺寸而定，He冷背板对于晶圆为标准静电夹具而无边缘遮拦，低能量，高刻蚀速率。
示例：
下一篇：ICP刻蚀机（GSE C200）
