原理：

等离子体深刻蚀机，反应室中通入C4F8气体，通过化学反应，形成聚合物薄膜对侧壁进行保护；反应室中通入SF6气体，进行物理和化学刻蚀，刻蚀和钝化交替进行循环刻蚀，达到超高深宽比的刻蚀形貌。                    

技术指标：

设备气路配置：Ar、O2、C4F8、SF6、He

ICP功率：0-3600W，RF功率:  0-1500W

刻蚀非均匀性：<±3%

最大刻蚀速率：35µm/min

侧壁垂直度：89°±1°

光刻胶选择比：>50:1

应用：

主要用于硅材料的高速，高深度，大深宽比陡值刻蚀工艺加工，适用于8inch及以下尺寸。设备带有终点监测功能，可以吸附带有非导电性物质的衬底，例如玻璃、蓝宝石衬底材料。

示例：