原理：
VHF刻蚀机，主要通过无水乙醇的催化作用，将蒸发的乙醇和气态的HF通入腔体与SiO2反应生成可挥发的SiF4和气态H2O，并通过真空抽走，整个反应过程不生成液态水，避免了液体对悬空微纳结构的粘连。
技术指标：
腐蚀SiO2速率：100—200nm/min
HF气体流量：0—1000 sccm
无水乙醇气体流量：0—370 sccm
工艺氮气流量：0—3000 sccm
刻蚀非均匀性：<15%
应用：
主要用于晶片上SiO2牺牲层的腐蚀，其特点是纯气态腐蚀，无湿法腐蚀过程产生的“粘连”效应，并且对Al等金属具有高选择性。
示例：
