原理：
离子束刻蚀机，属于纯物理过程。等离子体放电，Ar气体解离成带正电的离子，离子加速获得能量轰击到被刻蚀材料表面，原子击出，从而达到刻蚀目的。
技术指标：
气体配置：Ar
载物台角度：0 — 170˚
载物台转速：5 — 20rpm
离子能量：50 — 1500 eV
刻蚀非均匀性：＜±2%
SiO2刻蚀速率：20nm/min
应用：
主要用于刻蚀金属Au、Ti、Ni、Mo、Cr、Cu、Al以及其他半导体材料。设备兼容4、6、8inch标准wafer，Loadlock式腔体设计。
示例：
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