原理：
等离子体刻蚀以F基反应气体在射频源作用下分解产生活性反应成分，在自偏压电场作用下与被刻蚀材料产生物理与化学作用，最终产生气体挥发物，达到刻蚀的目的。
技术指标：
气体配置：CHF3、CF4、Ar、N2、O2
RF功率：≤300 W
刻蚀非均匀性：<±3%
SiO2刻蚀速率：150nm/min
SiNx刻蚀速率：120nm/min
应用：
主要用于介质膜材料SiO2、SiNx刻蚀，适用于8inch及以下尺寸，采用静电吸盘
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