原理：
等离子刻蚀机采用F基反应气体在射频源作用下分解产生活性反应成分，在自偏压电场作用下与被刻蚀材料产生物理与化学作用，最终产生气体挥发物，达到刻蚀的目的。
技术指标：
气体配置：Ar、O2、CF4、SF6、CHF3
RF功率：≤300W
刻蚀非均匀性：<±4%
快速刻蚀速率：≥120nm/min
慢速速刻蚀速率：50nm/min
应用：
主要用于可刻蚀材料：SiO2，SiNx，Si，PI，用于8inch片及以下尺寸,设备配有快慢速工艺。
示例：
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