原理：

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。

技术指标：

气体配置：SiH4、N2O、NH3、CF4

温度：0—400℃

RF功率：0—550W

SiO2应力为：-50—200 MPa

SiNx应力为：-70—200 MPa

沉积均匀性：<±3%

沉积SiO2速率：170—230nm/min

沉积SiNx速率：190—200nm/min

应用：

主要用于SiO2、SiNx材料成膜。可实施180℃、210℃、350℃工艺等，采用双腔室单片8inch全自动cassette式结构.。

示例: