原理：

电子在电磁场作用下与氩原子发生碰撞，使其电离产生Ar离子， Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶材，并以高能量轰击靶材表面，靶材离子溅射到样品表面形成薄膜。

技术指标：

工艺本底真空：5E-8Torr

工艺气体配置：Ar、N2

电源配置：DC20kW，DC pulse20kW

沉积温度：200℃

样品尺寸：8inch，向下兼容

薄膜非均匀性：压电薄膜≤0.5％，Mo≤2％

结晶质量：压电薄膜（002）FWHM≤1.7°

                 金属Mo（110）FWHM≤2.3°

应用：

主要用于8inch及向下尺寸样品表面的高质量压电薄膜材料AlN、AlSc9.6N、AlSc20N薄膜制备，以及配套电极材料Mo的沉积工艺

示例：