原理：

RTP800S退火炉，利用卤钨灯做为热源，采用热电偶测量退火样品的温度，通过卤钨灯极快的加热升温特性来获得很快的升温速率，将晶圆或者材料在极短的时间内加热到150℃—800℃，消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能，采用水冷和氮气吹扫的方式使得腔体能够短时间内快速冷却降温。

技术指标：

最大温度范围：150℃—800℃

升温速率：0.01—180℃/s，可预设定

密封石英架尺寸：210×140×14mm

温度设定范围：100℃—800℃

时间设定范围：1—30000秒

实时温度曲线，显示及存储功能

双闭环温度控制，稳态温度稳定性：±5℃ 

应用：

主要用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力，提高薄膜附着性等方面。 该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温，慢速升降温的功能，因此也可用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。