原理：
RTP-SA退火炉利用卤钨灯做为热源，采用热电偶测量退火样品的温度，将晶圆或者材料在极短的时间内加热到150℃—800℃，设备采用水冷和氮气吹扫的方式使得腔体能够短时间内快速冷却降温。
技术指标：
温度范围：200—800℃，
600—800℃
退火使用时间：＜3min
升温速率：0.5-180℃/s
可以通入气体：O2、N2
温度均匀性：±2℃
真空压力：＜50mTorr
应用：
主要用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力，提高薄膜附着性等方面。
示例：
