设备性能： 设备可以进行单批次 5片*8寸SiO2/SiNx材料的高品质成膜生长。
工艺气体：SiH4，N2，NH3，N2O。 干法清洗气体：O2、CF4。
主要工艺指标： SIO2 ： 沉积速率：150nm/min， WIW 均匀性＜±4%，应力：-50- 1800 MPa
SINx： 沉积速率：200nm/min， WIW 均匀性＜±4%，应力：- 80 - 180MPa
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