原理：
去胶机通过氧原子与光刻胶在等离子体环境中发生反应生成挥发性的一氧化碳和二氧化碳等生成物，这些生成物容易被真空系统抽走，从而实现去除光刻胶的目的。
技术指标：
设备气体配置：Ar、O2
RF功率：0—400W
气体流量：0—1000sccm
工艺时间：0—30min
样品尺寸：8inch，向下兼容
应用：
主要用于晶圆光刻后去底膜及光刻胶等离子清洗