原理：

通过磁控溅射的形式，进行高纯度金属单质、合金薄膜的制备。同时也可以在工艺过程中通入N2、或O2作为反应气体，来制备氮化物及氧化物薄膜材料。

技术指标：

工艺本底真空：5E-4Pa

工艺气体配置：Ar、O2、N2

工艺电源配置：RF（0—1000W）

                         DC（0—2kW）

靶腔配置：4inch靶，非磁性靶*3，    磁性靶*1

样品温度：RT—300℃

样品尺寸：8inch，向下兼容

薄膜非均匀性：≤±5%

应用：

主要用于各种金属单质、合金、氧化物、氮化物等的薄膜制备。 适用于8inch及以下样品尺寸，托盘放置，无需粘片。目前材料Al、AlCu0.5、Au、Cr、Cu、Ge、Ni、NiCr、Ti、TiW90等。

示例：